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主要特点
可处理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")预制和试生产的能力
选择单晶片/批处理或盒式进样,采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中,采用中央机械手传送晶片,生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制,其温度范围为-150 ° C至700° C
用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远端,远离主要工艺设备
System 100 -等离子刻蚀与沉积设备
该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。
具有工艺灵活性,适用于化合物半导体,光电子学,光子学,微机电系统和微流体技术, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,详情如下。
工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子:
低温硅刻蚀,深硅刻蚀和SOI工艺,应用于MEMS ,微流体技术和光子技术
用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺,通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用,材料范围广泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀
高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件
金属(Nb, W)刻蚀
zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新,凭着在HBLED相关材料方面经验丰富,设备使用成本控制和符合产量要求的同时,我们的新技术还可以zei大化地提高客户的产品良率。
针对HBLED苟刻的化学环境要求,PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计,可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个zei新设计的设备满足了所有的要求。
主要特点和优势包括:具有独家的静电吸盘技术,能固定蓝宝石,和生长蓝宝石或硅上的氮化镓;高功率的ICP能生产出高密度的等离子体;磁隔离区可提高离子控制和均匀性;高电导泵水系统可以在低压下zei大化地运送气体。
牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统 适用光电子学,PlasmaPro 100 PECVD
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