SENTECHSI 591反应离子刻蚀（RIE）设备

SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。

核心参数

• 样品处理能力：最大直径200mm(8英寸)，兼容6英寸、4英寸等多种尺寸及碎片

• 射频系统：13.56MHz平板RF源，最大功率600W，上电极接地，下电极接RF电源

• 温度控制：基板托盘温度范围:标准-20°C~+80°C，可选-30°C~+250°C

• 反应腔体：13英寸铝合金或不锈钢立方体腔室，水冷设计，中央配置光学窗口用于原位检测

• 真空系统：反应腔本底真空度≤1×10⁻⁶mbar，漏率≤2×10⁻⁴mbar・L/s；预真空室配独立干泵，本底真空≤0.1mbar

• 气体系统：标准 5 路工艺气体管路，支持 CF₄、CHF₃、SF₆、O₂、Ar、Cl₂、BCl₃、H₂、CH₄等；采用喷淋头气体分布与 SS 管线，各管路可通过常闭气动阀单独切断

• 刻蚀性能：刻蚀不均匀性≤±5%(全片)，可实现高选择比刻蚀，工艺重复性优异

主要特点

（1）工艺灵活性

• 兼容多种氯基与氟基刻蚀工艺，可根据材料特性调整参数实现最佳刻蚀效果

• 模块化设计支持功能扩展，可通过选配组件满足不同应用需求

• 支持从实验室研发到中小规模生产的无缝过渡

（2）性能优势

• 预真空锁设计大幅缩短抽气时间，提高产能并减少腔体污染

• 计算机控制的工艺条件确保优良的工艺重复性，降低批次间差异

• 喷淋头气体分布设计提升刻蚀均匀性，实现全片≤±5% 的均匀性指标

（3）操作便捷性

• 直观的图形用户界面，简化工艺设置与监控

• 工艺程序编辑器支持自定义多步骤工艺，数据记录功能便于工艺追溯与优化

• 可选配全自动操作模式，降低人工干预与操作误差

（4）空间与成本效益

• 小占地面积设计，适合空间有限的洁净室环境

• 模块化结构降低维护成本，关键组件可快速更换

• 能耗优化设计，运行成本低于同类大型设备

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