牛津仪器 PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备

PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 优良封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。

光滑侧壁工艺

高刻蚀速率腔刻蚀

高深宽比工艺         

锥形通孔刻蚀       

广泛的应用领域

机械或静电压盘                        

加热内衬                        

改善重复性                             

延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）

PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备特点

硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现。

兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力

自动匹配 - 拥有工艺灵活性

更高流量的质量流量计以及等离子发生器 - 自由基密度更高

减小的腔体尺寸和高效率的泵 - 确保气体高速流通

快速近距离耦合质量流量计 - 快速控制（初始为ALD而开发）

牛津仪器 PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备信息由华兆科技（广州）有限公司为您提供，如您想了解更多关于牛津仪器 PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。