SENTECH SI 500 D ICPECVD化学气相沉积系统

SI 500 D ICPECVD化学气相沉积系统代表了感应耦合等离子体（ICP）处理在研究和工业领域的前沿地位，用于等离子体增强化学气相沉积，涵盖介电薄膜、非硅、硅化及其他材料。该系统包括ICP等离子体源PTSA、动态温控基板电极和全控制真空系统。SI 500 D ICPECVD化学气相沉积系统内置的柔性负载锁可处理从100毫米至直径200毫米的多种基材，以及载体上的基底。单片真空负载锁和机械夹紧保证了稳定状态，并允许过程简单切换。

主要特点与优势

优异的高密度等离子体

SENTECH SI 500 D 感应耦合（IC）PECVD系统具备优异的等离子体特性，如介电薄膜的高密度、低离子能量和低压等离子体沉积，以及钝化层的低损伤、低温沉积。

低应力感应耦合PECVD

SiNx作为GaN HEMT钝化和SiOx用于沟槽填充的低应力ICPECVD可实现出色的均匀性和重复性，应用于射频和功率器件、光子学等领域。

SENTECH专有等离子体源技术

SENTECH平面三螺旋天线（PTSA）源是我们ICP工艺系统的独特特性。PTSA源产生高离子密度、低离子能量的均匀等离子体，适合高质量且低损伤的感应耦合PECVD沉积，包括SiO2、Si3N4、a-Si、SiC、DLC及掺杂层。

沉积层的优异性能

低蚀刻速率、高击穿电压、低应力、基板无损伤，以及沉积温度低于100°C的极低界面态密度，使沉积薄膜具有优异的性能。

动态温度控制

等离子体沉积过程中基底温度设置和稳定性是高质量刻蚀的严格标准。基底电极结合动态温控，配合氦（He）背面冷却和基底背面温度传感，即使在低温下也能沉积高质量的层。

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