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等离子体修饰系统,利用卓聚自创的三温区管式炉,通过氧气辅助化学气相沉积技术,在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气,不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒,降低形核密度,而且还能减小硫空位密度,从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。
利用等离子体修饰系统,在自限生长的前提下,目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长(100%覆盖度,成膜均匀),并通过改进转移设备,实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上,而且没有缝隙,没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米,相对取向为 60 º的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 º晶界。
等离子体修饰系统产品优势
1、有效避免固态源中毒;
2、成膜均匀性好;
3、成膜面积大;
4、快速、生长速度可控。
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