CVD材料智合系统

CVD材料智合系统

产品概述：

CVD材料智合系统是一种基于化学气相沉积（CVD）技术的高性能纳米材料制备仪器，专为生长碳纳米管、石墨烯、碳纤维等碳基纳米材料而设计。

优普超纯碳纳米生长系统特点：

高效制备技术：采用先进的化学气相沉积（CVD）工艺，专为生长碳纳米管、石墨烯、纳米碳纤维等高性能碳基纳米材料而设计，确保材料的高质量与高性能。

广泛适用场景：适用于高校、科研机构及企业等材料制备相关实验室，满足工艺研发、技术验证及小批量试产的多元化需求。

多功能性与兼容性：

材料适配性：可制备直径150nm、长度1200μm的碳纳米管；单层率>95%、缺陷密度<0.5%的石墨烯；以及直径5~10μm、拉伸强度≥3.5GPa的碳纤维。

基底兼容性：支持金属箔（如Cu、Ni、Fe）、陶瓷（如Al₂O₃、SiC）及柔性聚合物（如PI、PET）等多种基底生长，拓宽应用范围。

优化生长环境：

精确控制气体在反应腔内的扩散路径，确保基材表面纳米材料生长的均匀性（CV<5%）。

通过预设编程参数，灵活匹配不同材料（如单壁/多壁碳管、少层石墨烯）的生长需求。

高性能加热与温控系统：

炉膛长度250mm，功率1.4kW，支持最高1100℃持续加热。

配置S型高精度铂铑热电偶，量程0~1500℃，采用独立温控系统，6组12段分段控制程序，温控精度可达±0.5℃。

PID智能算法动态调整加热区功率，确保炉膛温度均匀性≤±1℃。

精确气体流量控制：通过质量流量计（MFC）实时监控氩气流量，量程范围50-500ml/min，精度±1%FS，确保反应过程的稳定性。

先进真空系统：内置抽真空装置，抽速0.5L/s，极限真空度-80kPa，工作真空度-50kPa~-60kPa（误差±0.25%），超压时自动关闭气阀（响应时间<20ms）。

智能化与自动化：

仪器由加热与温控、气体与真空、前驱体注射、安全保护及中央控制五大系统高度协同联动运行。

采用先进的智能调节算法，无超调，具备自整定功能及掉电数据保护，实现任意斜率的升、降温控制。

前驱体注射系统采用高精度步进电机及驱动控制，完成抽液、填充、排液、注射及状态监控等功能，计量准确，操作简单。

安全可靠的设计：

炉体隔热材料采用高纯氧化铝陶瓷纤维空气凝胶复合材料，保温隔热效果好，炉体外温小于50℃。

采用快装法兰，密封性能好，真空度高，预留两个进气口，实现气氛保护功能。

废气吸收罐采用500ml串联式洗收瓶，吸附效率≥95%，确保环境友好。

UPS应急电源输出功率500W，维持关键部件运行30分钟，确保仪器在断电情况下的安全运行。

UP-TNM50碳纳米生长系统技术参数：

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