无掩模版紫外光刻机，为光通信芯片研发按下 “加速键”

从骨干传输网、大型数据中心，到 5G 前传链路、高速相干光模块，光通信系统中芯片级器件的性能，直接决定整个传输链路的带宽上限、功耗水平与运行可靠性。硅光波导、高速调制器、微透镜阵列、微环谐振器等核心元器件，均需要依靠光刻技术完成亚微米级的图形定义。但传统掩模版制备周期动辄长达数周，研发进程常常卡在 “等待掩模版” 这一环节，严重拖慢产品迭代节奏。

托托科技无掩模版紫外光刻机，搭载 DMD 数字光刻技术，兼容灰度、矢量双工作模式，一台设备即可覆盖原型打样至小批量试产全流程，帮助光通信芯片研发彻底摆脱 “等版焦虑”。

灰度光刻（2.5D）：微透镜阵列制备的理想工艺

在光通信收发模块中，光纤与芯片之间的耦合效率，直接影响整条链路的功率预算。采用端面耦合或光栅耦合方案时，通常需要搭配微透镜、菲涅尔透镜、衍射光学元件（DOE）完成光斑整形与模场匹配。这类微光学元件对加工要求严苛：表面需形成连续平滑的三维面形，加工精度达到亚微米级别。

传统机械加工方式很难适配石英、硅、玻璃等脆性基材，加工表面极易产生划痕、毛刺；常规 0/1 二元掩模仅能拟合近似连续面形，台阶边界会引发衍射、散射效应，降低光学使用效率，加之掩模固有的对准偏差，成品实际面形和设计目标偏差显著。

托托科技无掩模版紫外光刻机最高支持 4096 阶灰度光刻，可独立精准调控每一个像素的曝光剂量，实现亚纳米级表面粗糙度。无论是用于提升光纤耦合效率的凸面微透镜阵列，还是波前整形用菲涅尔透镜、衍射光学元件，都可以快速产出高质量原型器件；同时还可制备压印模具，为定制化光学界面提供灵活高效的工艺方案。

高精度光刻，赋能硅光波导核心结构加工

硅光芯片内部的脊形波导、条形波导，特征宽度大多分布在几百纳米至数微米区间，对侧壁垂直度、尺寸一致性有着极高标准。普通无掩模光刻设备容易出现写场拼接缝隙，会造成波导宽度突变，进而诱发光场散射，带来额外光损耗。

托托科技无掩模光刻设备采用优化后的连续扫描曝光技术，实现大面积图形无缝拼接，充分保障波导结构连续性与尺寸一致性。该工艺同样适配微环谐振器、螺旋延迟线、马赫‑曾德尔调制器等各类无源光器件原型制备，能够有效控制工艺窗口内的传输损耗，满足硅光芯片严苛的高精度加工需求。

掩模版直写制备：研发迭代周期由 “数周” 压缩至 “数天”

光通信芯片研发前期，版图修改十分频繁：波导宽度调优、耦合器构型迭代、电极位置微调、对准标记版本更新，每一次改动往往都需要配套全新掩模版。传统掩模版生产，要经过数据转换、中间版制备、光刻、显影、蚀刻等多道复杂工序，整体周期长达数周。

依托托托科技无掩模光刻技术，可直接在铬板、石英基板上完成图形曝光，省去大量中间工艺步骤。针对研发阶段频繁调整的波导层、电极层、对准标记等掩模版，可将迭代周期从数周缩短至数天，十分适用于多版本方案对比验证以及小批量试产场景。

托托科技无掩模版紫外光刻机

加工精度：最高可达 300 nm，满足波导、光栅等微纳结构高分辨率加工需求

加工速度：高速机型可达 1200 mm²/min，兼顾精细加工能力与生产效率

灰度光刻能力：支持 4096 阶灰度，可实现亚纳米级粗糙度控制，直接加工微透镜阵列、菲涅尔透镜等三维微光学结构

基材兼容能力：适配硅片、氧化硅、玻璃、石英、蓝宝石常规基板；支持砷化镓、氮化镓等二、三代半导体衬底，同时兼容柔性基底与各类新型功能材料，实现多材质基底上的微纳图形直写。

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