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仪器简介:
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zei好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。 型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及 CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列zei小线宽可达8nm,zei小束斑直径2nm,套刻 精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。
电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统
1.zei小线宽:小于10nm(8nm available) 2.加速电压:1-50kV 3.电子束直径:小于2nm 4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option) 7.描电镜分辨率:小于2nm
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,研究用掩膜制造,纳 米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等。
电子束曝光系统,CABL-9000系列
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