二次电子图象分辨率 | 0.8 nm @ 15 kV 1.2 nm @ 1 kV | 放大倍数 | 1 ~ 2,500,000 x |
电子光学 | 光学导航 | 样品台 | 标配三轴自动,选配五轴自动 |
探测器 | 二次电子探测器 (ETD),背散射电子探测器、能谱仪EDS等 | 加速电压 | 20 V ~ 30 kV |
电子枪种类 | 高亮度肖特基场发射电子枪 |
SEM5000Pro是一款分辨率高、功能丰富的场发射扫描电子显微镜。
先进的镜筒设计,高压隧道技术(SuperTunnel)、低像差无漏磁物镜设计,实现了低电压高分辨率成像,同时磁性样品可适用。光学导航、完善的自动功能、精心设计的人机交互,优化的操作和使用流程,无论经验是否丰富,都可以快速上手,完成高分辨率拍摄任务。
功率器件分析
扫描电镜可以对器件的尺寸和一些重要的物理参数进行分析,如结深、耗尽层宽度少子寿命、扩散长度等等,也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。
扫描电镜二次电子像可以分析器件的表面形貌,结合纵向剖面解剖和腐蚀,可以确定PN结的位置、结的深度。
利用扫描电镜束感生电流工作模式,可以得到器件结深、耗尽层宽度、MOS管沟道长度,还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。
对于1nm以下的短沟道器件检测,可用类似于测量耗尽层宽度的方法,电子束对MOS场效应管进行扫描,得到二条柬感生电流曲线,就可得知此场效应管的沟道长度。
举例
功率半导体器件的电性失效分析
●定位目标区域:扫描电镜可准确定位到各种不同的缺陷位置。
●穿透金属层制备样品成像。
●纳米探测进一步定位缺陷位置: 如果在PFIB除层步骤中缺陷没有暴露,将会使用纳米探测进行进一步定位。使用扫描电子显微镜(SEM)可进行纳米探测。电流-电压曲线的异常会揭示缺陷位置,并指出对缺陷位置进行物性失效分析(PFA)检测所需的材料体积。
功率半导体器件的物性失效分析
●表征导致失效的微观结构: 双束扫描电镜使用两种可能的方法来制备样品。
●切片和成像: 该技术涉及一系列的聚焦离子束(FIB)切割,通过SEM 成像切割材料,直到发现缺陷。
在碳化硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中显现的掺杂剂
电子枪类型:高亮度肖特基场发射电子枪
分辨率:0.8 nm @ 15 kV;1.2 nm @ 1 kV
放大倍率:1 ~ 2,500,000 x
加速电压:20 V ~ 30 k
样品台:五轴全自动样品台
产品特点:
01 分辨率高,低加速电压下实现高分辨成像
02 电磁复合物镜,减小像差,显著提高低电压下的分辨率,而且可观察磁性样品
03 高压隧道技术(SuperTunnel) ,在隧道中的电子能保持高能量,减少了空间电荷效应,低电压分辨率得到保证
04 电子光路无交叉,有效的降低系统像差,提升分辨能力
05 水冷恒温物镜,保证物镜工作的稳定性、可靠性和可重复性
06 磁偏转六孔可调光阑,自动切换光阑孔,无需机械调节,实现高分辨率观察或大束流分析模式快速切换
产品参数
关键参数 | 分辨率 | 0.8 nm @ 15 kV 1.2 nm @ 1 kV |
加速电压 | 20 V ~ 30 kV |
放大倍率 | 1 ~ 2,500,000 x |
电子枪类型 | 高亮度肖特基场发射电子枪 |
样品室 | 真空系统 | 全自动控制,无油真空系统 |
摄像头 | 双摄像头 (光学导航+样品仓内监控) |
行程 | X: 110 mm,Y: 110 mm,Z: 50 mm T: -10°~ +70°, R: 360° |
探测器和扩展 | 标配 | 镜筒内高角度电子探测器 侧向低角度电子探测器 |
选配 | 平插式中角度背散射电子探测器 STEM自动伸缩式扫描透射探测器 样品交换仓 高速束闸和电子束曝光 EDS能谱仪 EBSD背散射衍射 EBIC电子束感生电流 CL阴极荧光 高低温原位拉伸台 纳米机械手 大图拼接 |
软件 | 语言 | 中文 |
操作系统 | Windows |
导航 | 光学导航、手势快捷导航 |
自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 |
国仪量子 国产SEM5000 功率器件分析专用场发射扫描电镜 ,SEM5000Pro功率器件
国仪量子 国产SEM5000 功率器件分析专用场发射扫描电镜 信息由国仪量子技术(合肥)股份有限公司为您提供,如您想了解更多关于国仪量子 国产SEM5000 功率器件分析专用场发射扫描电镜 报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。