二次电子图象分辨率 | 0.9 nm @ 30 kV,SE | 放大倍数 | 1 ~ 1,000,000 x |
加速电压 | 200 V ~ 30 kV | 电子枪种类 | 肖特基场发射电子枪 |
SEM4000Pro是一款分析型热场发射扫描电子显微镜,配备了高亮度、长寿命的肖特基场发射电子枪。三级磁透镜设计,束流大且连续可调,在EDS、EBSD、WDS等应用上具有明显优势。支持低真空模式,可直接观察导电性弱或不导电样品。标配的光学导航模式,以及直观的操作界面,让您的分析工作倍感轻松。
功率器件分析
扫描电镜可以对器件的尺寸和一些重要的物理参数进行分析,如结深、耗尽层宽度少子寿命、扩散长度等等,也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。
扫描电镜二次电子像可以分析器件的表面形貌,结合纵向剖面解剖和腐蚀,可以确定PN结的位置、结的深度。
利用扫描电镜束感生电流工作模式,可以得到器件结深、耗尽层宽度、MOS管沟道长度,还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。
对于1nm以下的短沟道器件检测,可用类似于测量耗尽层宽度的方法,电子束对MOS场效应管进行扫描,得到二条柬感生电流曲线,就可得知此场效应管的沟道长度。
举例
功率半导体器件的电性失效分析
●定位目标区域:扫描电镜可准确定位到各种不同的缺陷位置。
●穿透金属层制备样品成像。
●纳米探测进一步定位缺陷位置: 如果在PFIB除层步骤中缺陷没有暴露,将会使用纳米探测进行进一步定位。使用扫描电子显微镜(SEM)可进行纳米探测。电流-电压曲线的异常会揭示缺陷位置,并指出对缺陷位置进行物性失效分析(PFA)检测所需的材料体积。
功率半导体器件的物性失效分析
●表征导致失效的微观结构: 双束扫描电镜使用两种可能的方法来制备样品。
●切片和成像: 该技术涉及一系列的聚焦离子束(FIB)切割,通过SEM 成像切割材料,直到发现缺陷。
在碳化硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中显现的掺杂剂
超高分辨率(0.9 nm@30 kV)
低真空模式(180 Pa)
三级磁透镜设计
200 nA大束流(选配)
机械优中心样品台
快速换样仓(最大8寸)
产品优势
01配备高亮度、长寿命的肖特基热场发射电子枪
02分辨率高,30 kV 下优于 0.9 nm 的极限分辨率
03三级磁透镜设计,束流可调范围大,最大支持 200 nA 的分析束流
04无漏磁物镜设计,可直接观察磁性样品
05标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器
06标配的光学导航模式,中文操作软件,让分析工作更轻松
应用案例
水菜花花粉/低真空70 Pa/10 kV/LVD
金属断口/10 kV/ETD
金属断口/15 kV/ETD
PA-玻纤复合材料/10 kV/BSED
芯片/5 kV/ETD
银浆/1 kV/ ETD
产品参数
关键参数 | 高真空分辨率 | 0.9 nm @ 30 kV,SE |
低真空分辨率 | 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa |
1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa |
加速电压 | 200 V ~ 30 kV |
放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x |
电子枪类型 | 肖特基热场发射电子枪 |
样品室 | 真空系统 | 全自动控制 |
低真空模式 | 最大180 Pa |
摄像头 | 双摄像头 |
(光学导航+样品仓内监控) |
行程 | X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm |
T: -10°~+70°,R: 360° |
探测器和扩展 | 标配 | 旁侧二次电子探测器(ETD) |
低真空二次电子探测器(LVD) |
插入式背散射电子探测器(BSED) |
选配 | 能谱仪(EDS) |
背散射衍射(EBSD) |
插入式扫描透射探测器(STEM) |
样品交换仓 |
轨迹球&旋钮控制板 |
软件 | 语言 | 中文 |
操作系统 | Windows |
导航 | 光学导航、手势快捷导航 |
自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散
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国仪量子 国产功率器件测试专用 场发射扫描电镜 SEM4000Pro,SEM4000Pro 功率器件
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