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国仪量子 国产功率器件测试专用 场发射扫描电镜 SEM4000Pro

参考报价: 面议 型号: SEM4000Pro 功率器件
品牌: 国仪量子 产地: 安徽
关注度: 603 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
产品类型落地式/传统大型 电子枪类型热场发射
二次电子图象分辨率0.9 nm @ 30 kV,SE放大倍数1 ~ 1,000,000 x
加速电压200 V ~ 30 kV电子枪种类肖特基场发射电子枪
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

发布时间:2023年03月

SEM4000Pro是一款分析型热场发射扫描电子显微镜,配备了高亮度、长寿命的肖特基场发射电子枪。三级磁透镜设计,束流大且连续可调,在EDS、EBSD、WDS等应用上具有明显优势。支持低真空模式,可直接观察导电性弱或不导电样品。标配的光学导航模式,以及直观的操作界面,让您的分析工作倍感轻松。

功率器件分析

扫描电镜可以对器件的尺寸和一些重要的物理参数进行分析,如结深、耗尽层宽度少子寿命、扩散长度等等,也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。

扫描电镜二次电子像可以分析器件的表面形貌,结合纵向剖面解剖和腐蚀,可以确定PN结的位置、结的深度。
利用扫描电镜束感生电流工作模式,可以得到器件结深、耗尽层宽度、MOS管沟道长度,还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。
对于1nm以下的短沟道器件检测,可用类似于测量耗尽层宽度的方法,电子束对MOS场效应管进行扫描,得到二条柬感生电流曲线,就可得知此场效应管的沟道长度。


举例

功率半导体器件的电性失效分析

●定位目标区域:扫描电镜可准确定位到各种不同的缺陷位置。

●穿透金属层制备样品成像。

●纳米探测进一步定位缺陷位置: 如果在PFIB除层步骤中缺陷没有暴露,将会使用纳米探测进行进一步定位。使用扫描电子显微镜(SEM)可进行纳米探测。电流-电压曲线的异常会揭示缺陷位置,并指出对缺陷位置进行物性失效分析(PFA)检测所需的材料体积。


功率半导体器件的物性失效分析

●表征导致失效的微观结构: 双束扫描电镜使用两种可能的方法来制备样品。

●切片和成像: 该技术涉及一系列的聚焦离子束(FIB)切割,通过SEM 成像切割材料,直到发现缺陷。


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在碳化硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中显现的掺杂剂


 超高分辨率(0.9 nm@30 kV)

低真空模式(180 Pa)

三级磁透镜设计

200 nA大束流(选配)

   机械优中心样品台

  快速换样仓(最大8寸)

产品优势

01配备高亮度、长寿命的肖特基热场发射电子枪

02分辨率高,30 kV 下优于 0.9 nm 的极限分辨率

03三级磁透镜设计,束流可调范围大,最大支持 200 nA 的分析束流

04无漏磁物镜设计,可直接观察磁性样品

05标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器

06标配的光学导航模式,中文操作软件,让分析工作更轻松

应用案例

水菜花花粉/低真空70 Pa/10 kV/LVD

金属断口/10 kV/ETD

金属断口/15 kV/ETD

PA-玻纤复合材料/10 kV/BSED

芯片/5 kV/ETD

银浆/1 kV/ ETD

产品参数

关键参数高真空分辨率0.9 nm @ 30 kV,SE
低真空分辨率2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa
1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa
加速电压200 V ~ 30 kV
放大倍率1 ~ 1,000,000 x
电子枪类型肖特基热场发射电子枪
样品室真空系统全自动控制
低真空模式最大180 Pa
摄像头双摄像头
(光学导航+样品仓内监控)
行程X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm
T: -10°~+70°,R: 360°
探测器和扩展标配旁侧二次电子探测器(ETD)
低真空二次电子探测器(LVD)
插入式背散射电子探测器(BSED)
选配能谱仪(EDS)
背散射衍射(EBSD)
插入式扫描透射探测器(STEM)
样品交换仓
轨迹球&旋钮控制板
软件语言中文
操作系统Windows
导航光学导航、手势快捷导航
自动功能自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散


国仪量子 国产功率器件测试专用 场发射扫描电镜 SEM4000Pro信息由国仪量子技术(合肥)股份有限公司为您提供,如您想了解更多关于国仪量子 国产功率器件测试专用 场发射扫描电镜 SEM4000Pro报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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