脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统能发射高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。在靶材上的非平衡提取（烧灼）能使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在最佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。

产品特点

* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED
* 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格
* 氧化物薄膜沉积时氧气兼容
* 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock
* 可附加的沉积源：脉冲激光与射频/ 直流溅射
* 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统

脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例
* 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
* 顺电(Ba-SrTiO₃) 薄膜
* 金属氧化物(SrRuO₃) 薄膜
* 隔热/ 音玻璃(SiO₂) 膜和Al₂O₃ 膜
* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜

技术指标

真空腔	18" 直径的球形腔体 8"CF 窗口 6.75"CF PED 源窗口 3 个6"CF 窗额外的2.75" 与1.33"CF 窗口	PED源	电子枪能量：8-20 keV 脉冲能量：最大能量800 mJ 最小能量100 mJ 工艺气体压强: 3-20 mTorr 工艺气体: 氧气，氮气，氩气脉冲能量变化: ±10% 脉冲宽度: 100 ns 最大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV 最小束截面: 8 x10-2 cm2 最大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 Z 向对准范围: 50 mm XY 向对准范伟: +/- 20 mm 火花塞寿命 ~3x107 脉冲
基片加热器	最大直径2"，最小10x10mm2 最高温度：850 ℃ 基片旋转：1-30 RPM（360° 旋转）基片加热器：兼容1 个大气压的氧压加热器温度通过可编程的PID 控制
多靶材旋转台	6 个1" 的靶材或3 个2" 的靶材靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM) 靶材栅格式扫描独特的靶材栅格化烧蚀方案靶材索引，镀多层薄膜靶材高度可调靶材挡板避免靶材间的交叉污染提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力	PED系统软件	Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加热台控制靶材公转台控制真空泵控制质量流量计? 外部的PED 源触发器可选的工艺自动化选项
真空泵	干泵，涡轮分子泵本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr 涡轮分子泵转速由软件控制

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