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RTP-6快速退火炉配备了抛物面反射器和红外灯加热系统,可以均匀加热尺寸达6英寸的晶圆。其具备高速热处理的能力,可用于热处理工艺的研究和开发。 在个别半导体工艺和化合物半导体的过程退火中可以形成硅化物。
应用:
用于半导体的各种晶片的高速热处理。
特性:
1.对尺寸达6英寸的晶圆进行高速热处理
2.采用水冷冷壁结构,无重金属污染,可高速冷却
3.真空更换后可提供各种气流;
4.通过您的电脑,您可以轻松输入温度程序和外部信号。 在加热过程中获取的温度数据可以显示在PC上。
5. 9区功率控制可实现良好的温度分布和可重复性。
6.石英室保护罩可用于防止室内污染(可选)。
型号
RTP-6
温度范围
RT to 1000 °C
样品尺寸
4-6英寸圆晶
气氛
各种气氛,气流,空气氛围,真空;
加热方式
上层抛物面红外加热系统或下层抛物面加热系统
最大升温速率
80℃/s
均热精度
Δt=10℃ (晶圆在800℃氮气流下)
热电偶
JIS-K型热电偶, 高温计(可选)
外形尺寸
约 W600 x D1000 x H1700 (mm) 不包含突出部分
重量
约300kg
供电要求
三相电,AC 200V,30kVA
水冷要求
压力≥0.3Mpa ,流速≥15L/min
真空排气口
KF-25
通气口
进气口:1/4 英寸套管接头
热空气排气口
约φ50mm孔
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