CAMECA二次离子质谱仪QUAD4550高深度分辨率超低能量四极杆SIMS

产品参数

半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析

CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。

高深度分辨率和高通量
随着器件尺寸不断缩小，当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降至低于150eV的氧和铯高密度一次离子束进行优化，充分满足上述应用领域的需求。

灵活性
CAMECA的SIMS 4550是一款动态SIMS工具，可在溅射条件（碰撞角度、能量、物种）方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中，通过电荷补偿（电子枪、激光）专用选项可以轻松分析绝缘材料。SIMS 4550可测量层厚度、对准度、陡度、完整性、均匀性和化学计量。样品架可容纳多种样品：几毫米的薄片至直径100毫米的样品。

高精度和自动化
最先进的四极杆分析仪的光路、峰噪比等都是降低痕量元素检出限的关键因素。凭借先进的特高真空设计以及低至E-10mbar（E-8Pa）范围内的主室压力，SIMS 4550可为氢、碳、氮和氧提供出色的灵敏度。超稳定的离子源和电子设备确保达到最高精度以及RSD小于0.2％的测量重复性。
通过易于使用的软件、预定义方案、远程操作以及故障排除，充分考虑了人为因素对精度的影响。每次测量的所有仪器参数设置都存储在数据库中。因此重复测量只需点击几下鼠标即可完成。其他自动化功能

CAMECA SIMS 4550： 高深度分辨率超低能量四极杆SIMS

CAMECA二次离子质谱仪QUAD4550高深度分辨率超低能量四极杆SIMS,SIMS 4550

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