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用于半导体晶圆厂中成分测量的全自动 SIMS
AKONIS SIMS 工具通过直接在半导体生产线中提供对注入分布、成分分析和界面数据的高产量、高精度检测,填补了半导体制造工艺中的重要空白。AKONIS 有非常高的自动化水平,确保了各种工具在晶圆厂工艺控制和工具之间匹配方面的可重复性。
除传统的通过表征实验室为半导体行业提供支持的IMS Wf/SC Ultra和 SIMS 4550(四极杆 SIMS)系列外,AKONIS作为其 补充,可实现仪器设置和采集例程的完全自动化,从而可在分析灵敏度不受影响的情况下实现快速的厂内分析。AKONIS 受益于极低冲击能量(EXLIE)离子色谱柱技术(< 150 eV)的发展,与带高分辨率平台的整片晶圆处理系统相结合,可在最小 20 μm 的压焊点上进行测量。推动实现 N5 及后继制程的高产量SiGe 和 SiP 多层堆叠的高分辨率成分和快速掺杂物深度剖析无与伦比的最小 20 μm 在压焊点上的检测限将数据反馈到生产线的时间缩短了 97% 以上光片和图案化的整片晶圆测量图案识别引擎与高分辨率干涉测量平台相结合,可实现 < 2 μm 的位置精度基于独特材料数据库的直观recipe创建SEMI 认证(S2/S8、E4、E5、E39、E84...)低购置成本
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CAMECA二次离子质谱仪QUAD4550高深度分辨率超低能量四极杆SIMS
SIMS介绍当固体样品被几keV能量的一次离子溅射时,从靶发射出来的一部分颗粒被电离。二次离子质谱法是使用质谱仪分析这些二次离子。离子轰击下固体表面的二次离子发射提供了有关其最上面的原子层的元素、同位素和分子组成的信息。根据化学环境和溅射条件(离子、能量、角度),二次离子产生率会有很大的变化。这会增加该技术的量化方面的复杂性。无论如何,SIMS被公认为最灵敏的元素和同位素表面分析技术。SIMS技术为氢到铀及其以上的所有元素(许多元素的检出限低至ppb级)提
CAMECA 二次离子质谱仪SIMS 7F-AUTO
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