电子束刻蚀系统

Obducat电子束刻蚀系统

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电子束刻蚀设备

型号:30Kv TFE, 50Kv TFE

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仪器简介:1998年Obducat公司并购了在SEM有三十年经验的Camscan,并结合自身在纳米压印设备以及光存储设备的开发经验,研发了电子束刻蚀设备,提供EBR-30kV,EBR-50kV两种不同型号,都配备热场发射电子腔。技术参数:Electron gun / Filament type Thermal Field Emission ......

品牌: GATAN名称型号:精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制造商: 美国GATAN公司经销商:欧波同有限公司免费咨询电话:800-8900-558售后服务电话:800-8900-558产品综合介绍:产品功能介绍  Gatan公司的精密刻蚀镀膜仪 (PECS™) II 是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀......

JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。 此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。 利用zei细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细......

JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界zei高水平的产出量和定位精度,zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。产品特点:JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界zei高水平的产出量和定位精度,zei大能......

JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。产品特点:JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/......

JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。产品特点:JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间......

JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。产品特点:zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。◇......

合金,是由两种或两种以上的金属与金属或非金属经一定方法所合成的具有金属特性的物质。一般通过熔合成均匀液体和凝固而得。根据组成元素的数目,可分为二元合金、三元合金和多元合金。产品综合介绍:产品功能介绍  Gatan公司的精密刻蚀镀膜仪 (PECS™) II 是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。品牌介绍  美国......

Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3,符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 小型台式无掩膜光刻系统&nbs......

SEM高速刻蚀子系统XENOS刻写子系统是一种允许设计图案数据并产生用于带电粒子束(例如用于半导体光刻应用或聚焦离子束系统的电子束)转向的相应偏转信号的系统。可以连接到传统的扫描电子显微镜、FIB或双光设备上,升级系统,在半导体或其他材料上......

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