分子束外延 华人

仪器简介:JIB-4700F是集成扫描电镜和聚焦离子束于一身高性能仪器。电子光学系统采用场发射电子枪,对进行实时研磨监控。该仪器又是一个微区观察、样品分析、微区研磨的集合体,应用范围广泛。技术参数:FIB 分辨率: 5nm, 30kV  SEM分辨率: 1.2nm, 30kV     气体输入系统 1-3主要特点:监......

薄膜制备领导者BlueWave是一家著名的美国半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统,包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是zei理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wa......

仪器简介: 美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商,具有18年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。 占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。 独立的设计和生产能力使我们能够为每一位尊贵的用户量身打造其需要的生长和测试设备。   ......

优异的性能价格比,Mantis公司生产的分子束外延系统(配置脉冲激光沉积模块)落户广州的华南理工大学,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。 主腔室 *1、2英寸高真空沉积系统,500mm直径; 2、椭圆形或者半球形,304#不锈钢,金属密封; 3、沉积......

Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感,主要用于10至5000μm(30THz至60GHz)的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻,进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化,这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化,所以入射辐射必......

DB500拥有自主可控的场发射电子镜筒和“承影”离子镜筒,是一款优雅全能的纳米分析和制样工具。高压隧道技术(SuperTunnel)、低像差无漏磁物镜设计,低电压高分辨率成像,保证纳米分析能力。“承影”离子镜筒采用液态镓离子源,拥有高稳定、高质量的离子束流,保证纳米加工能力。集成式的纳米机械手、气体注入器、电子物镜防污染机构,拥有24个扩展口,配置全面,自主......

分子束外延 镀膜系统

参考成交价格: 暂无

激光脉冲沉积(PLD)

型号:MC-LMBE/PA-C-PLMBE

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脉冲激光沉积镀膜系统(PLD MBE) Mobile Combi-Laser MBE system   系统的主体是一个UHV激光分子束外延装置。使用准分子激光进行基底加热;脉冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一个扫描式的反射高能电子衍射(RHEED)设备,系统能同时制备很多样品(......

随着新型氧化物/氮化物的研究和发展,用于沉积它们的外延生长设备:激光脉冲沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺,具有衬底温度较低,而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点,即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr),特别适于氧化物的生长。......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-8上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 8个束源炉, 最大容量 40cc. 配备晶振, 束流监控器, 高能电子枪以及监控软件. 可以装置固体源......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-10上海伯东代理分子束外延设备 MBE-10 可以成长四寸~六寸的样品, 样品温度可以加到 900摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度.可以装置 10个束源炉, 最大容量 40cc. 分子束外延设备 MBE-10 配备晶振, 束流监控器. 高能电......

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