随着新型氧化物/氮化物的研究和发展，用于沉积它们的外延生长设备：激光脉冲沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺，具有衬底温度较低，而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点，即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr)，特别适于氧化物的生长。但是PLD方法无法精确控制膜厚，不可能制备原子层尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

传统的分子束外延(MBE)技术在制备高质量的半导体超晶格方面取得了巨大的成功，人们甚至可以人工操纵原子而获得设想的特殊结构。然而，由于分子束源和其加热系统皆置于超高真空系统中，而且为了制备多组元薄膜，必须精确地控制每一个分子束源的束流以获得理想的计量比。MBE的这种加热束源的结构使其很难制备高熔点材料和复杂体系的薄膜，而且难以在较高气压(特别是氧气压)的条件下运转，因此其应用范围受到一定程度的限制。

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。

日本Pascal公司一直致力于PLD和Laser MBE系统的研发工作，已经向世界上知名的高校或研究所提供了高性能、高稳定的设备。在Laser MBE中，使用脉冲激光源，而且与通过石英窗口和超高真空系统隔离。高能量密度的脉冲激光将靶材局部气化而产生激光焰，被剥蚀的粒子获得很高的动能，达到可以加热的衬底表面形成薄膜。薄膜的生长过程可由反射式高能电子衍射(RHEED)系统监控。RHEED的衍射条纹提供薄膜生长的晶体结构和表面形貌，强度振荡判断薄膜生长的机理。其强度振荡可由弹性散射模型进行解释。

Pascal生产的Laser MBE系统具有如下的优势：
1. 靶源易蒸发。即使是高熔点的材料，如氧化物，也很容易蒸发。
2. 化学计量比准确。沉积的薄膜和靶材的化学组分几乎完全一样。
3. 污染少。
4. 激光脉冲的重复频率可进行薄膜厚度/生长速率的数字式或非连续性控制。
5. 差分抽气结构，可在非常宽的气压范围内工作。
6. 靶材的交换简单快捷，有利于实现异质外延和多层结构的生长。
7. 结构紧凑，含有许多独特的技术，如衬底加热和样品或靶材的进样-自锁交换装置等。

用于材料科学的组合(Combinatorial)技术
一次合成一个样品，该样品描写了不同合成条件的组合结果，然后进行筛选产品，这整个过程是一种“组合化学”(Combinatorial Chemistry)。目前，这种技术在医学或药学的发展将显得非常必要。而且，由此产生的研究结果正在呈指数上升。
为什么不在薄膜研究中引进该方案呢？从方案的初始阶段，我们就一直与学术界共同研发“组合式PLD系统”。我们丰富的经验将有助于薄膜的研究和开发。

应用

1.蓝光ZnO 和 GaN 新材料研发
2.氧化物微奈米薄膜、STO 压电薄膜
3.奈米磁性薄膜
4.超导体材料
5.高能材料
6.新尖端组合材料 (Combinatorial Materials)

新型薄膜和器件方面的应用

我们设计的生长系统可用于多种薄膜的生长，包括GaN、有机薄膜以及结型器件的制备，如金刚石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si结型器件等。

激光分子束外延系统信息由源顺国际有限公司为您提供，如您想了解更多关于激光分子束外延系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途