分子束外延设备

产品特点:zei快达到100MHz的高速化扫描速度,保证了大电流描画时的扫描步距很短,因而能提高对精度要求极高的图形描画的产出量。由激光束控制(LBC)的0.15nm(λ/4096)的zei小定位单位及高分辨率,达到了世界zei高水准的位置精度。本公司独自的自动校正功能(自动补偿功能),实现了可信赖的长时间稳定地描画。自动补偿可以根据时间(任意的)、场和图形......

产品特点:本公司独自的自动校正功能(自动补偿功能),实现了可信赖的长时间稳定地描画。自动补偿可以根据时间(任意的)、场和图形进行分别设定,非常适合于周末及休假等无人值守等情况下的长时间描画。zei大扫描速度高达50MHz,再加上zei大程度地抑制了机器的准备操作时间,因此缩短了描画时间,到描画开始为止的作业非常简单,聚焦也能够自动进行,因而能提高总产出量。使......

薄膜制备领导者BlueWave是一家著名的美国半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统,包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是zei理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wa......

仪器简介: 美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商,具有18年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。 占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。 独立的设计和生产能力使我们能够为每一位尊贵的用户量身打造其需要的生长和测试设备。   ......

Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。多模式功能能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成单晶圆传送模式或集群式晶圆操作双束流配置更低的表面薄膜粗糙度更佳的批次均匀性和工艺重复性精确终点......

优异的性能价格比,Mantis公司生产的分子束外延系统(配置脉冲激光沉积模块)落户广州的华南理工大学,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。 主腔室 *1、2英寸高真空沉积系统,500mm直径; 2、椭圆形或者半球形,304#不锈钢,金属密封; 3、沉积......

分子束外延 镀膜系统

参考成交价格: 暂无

激光脉冲沉积(PLD)

型号:MC-LMBE/PA-C-PLMBE

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脉冲激光沉积镀膜系统(PLD MBE) Mobile Combi-Laser MBE system   系统的主体是一个UHV激光分子束外延装置。使用准分子激光进行基底加热;脉冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一个扫描式的反射高能电子衍射(RHEED)设备,系统能同时制备很多样品(......

随着新型氧化物/氮化物的研究和发展,用于沉积它们的外延生长设备:激光脉冲沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺,具有衬底温度较低,而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点,即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr),特别适于氧化物的生长。......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-8上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 8个束源炉, 最大容量 40cc. 配备晶振, 束流监控器, 高能电子枪以及监控软件. 可以装置固体源......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-10上海伯东代理分子束外延设备 MBE-10 可以成长四寸~六寸的样品, 样品温度可以加到 900摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度.可以装置 10个束源炉, 最大容量 40cc. 分子束外延设备 MBE-10 配备晶振, 束流监控器. 高能电......

厂商新闻
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