红外探测器分辨率测试
升级换新 | 全能型CMOS EBSD探测器Symmetry S2开启新篇章随着材料科学的不断发展，传统的CCD-EBSD已经不能满足广大用户的使用需求。为了提高EBSD的性能，牛津仪器对其软硬件性能均做出了显著的改进和升级。基于CMOS技术的EBSD探测器问世以来，卓越的硬件性能和人性化的软件系统，已经打破了其所在领域的传统规则，将开启EBSD领域的新篇章......
高速型C-Swift EBSD探测器 —— 基于CMOS技术，跨时代的又一力作C-Swift EBSD是牛津仪器最新发布的基于CMOS技术的高速型EBSD探测器。它继承了CMOS EBSD高灵敏度和高速度的优点，用来替换基于CCD技术的高速型EBSD Nordlys Max3，具有很高的性价比。 C-Swift最快的采集速度能达......
当X 射线与物质相互作用时，根据散射角度的不同，可以分为两类:一是经过物质的吸收、散射、发射等作用后，被探测器接收的直射 X 射线;二是经过物质散射后发生的散射 X射线。前者称为透射 X射线，用于获得物质的吸收特性:后者称为散射 X 射线，用于获取物质的结构与成分信息。 先进多光束可调系统； . RoHS/WEEE 指令元素快速分析；&......
CJH-5红外可燃气体探测器采用NDIR非分光红外技术，主要用于天然气、煤层气、垃圾填埋、污水处理、厌氧发酵等领域CH4气体泄漏检测报警。功能特点 1、采用具有自主知识产权的NDIR非分光红外气体分析技术 2、采用红外气体滤波技术，CH4测量不受其它气体成分干扰 3、响应时间快，测量准确度高 4、工作稳定、校准周期长、维护工作量小 5、相比热催化方......
前置放大器 最大增益 最大带宽 供电电压 匹配探测器 PA-7 107 150KHz +12Vand-12V10nA J22,J23,J22TE,J23TE PA-102 107 DCto1MHz +......
iDus系列InGaAs近红外光谱探测器iDus 系列InGaAs 阵列光谱探测器采用512 或1024 InGaAs 阵列，波长可覆盖至1.7μm 或2.2μm。 探测器采用紧凑型设计，并采用真空密封技术及TE 深度制冷，制冷温度最低可达到-90℃，无需液氮， 使用起来更加稳定、简便。是近红外光谱探测的理想探测器。主要特点• 波长范围：0.6μm~......
产品概述芯片-电路模块是由一个256×1的InGaAs芯片、两个128×1的读出电路和一个过渡电极板组合而成。光敏芯片采用正入射结构，光敏元为长条形结构，256个光敏元呈一字型排列，相邻光敏元的中心距为50μm，单个光敏元尺寸为50μm×500μm，图2中有详细展示。256×1的InGaAs光敏芯片的性能参数如下表所示：表1.产品的性能参数器件规模：256×......
产品概览本电路模块是由一个256×1的InGaAs芯片、两个128×1的读出电路和一个过渡电极板组合而成。光敏芯片采用正入射结构，光敏元件为长条形结构，256个光敏元件呈一字型排列，相邻光敏元件的中心距为50μm，单个光敏元件尺寸为50μm×500μm，具体见图2。该InGaAs光敏芯片的性能参数如下表所示：器件规模：256×1像元尺寸：250×500 µm......
产品信息该产品利用近红外640×512红外焦平面读出电路芯片与近红外640×512红外焦平面元光敏芯片倒焊互联，实现对探测器信号的积分、存储和输出。光敏芯片采用背照射结构，中心距为25×25um2。电路工作模式为先积分后读出模式，读出速率（PixelRate）为20KHz～10MHz。建议初次调试驱动波形时，时钟采用500KHz。性能参数如下：器件规模：近红......
产品简介该产品使用近红外640×512红外焦平面读出电路芯片和近红外640×512红外焦平面元光敏芯片倒焊互联。这样可以实现对探测器信号的积分、存储和输出。光敏芯片采用背照射结构，中间距为25×25um2。电路工作模式为先积分后读出，读出速率（PixelRate）在20KHz至10MHz之间。初次调试驱动波形时，建议时钟采用500KHz。性能参数如下：器件规......