2023-05-12 17:12:32, 刘佳松 滨松光子学商贸(中国)有限公司
硅光电二极管简称Si PD,是一种应用非常广泛的光探测器件,作为Si PD市场的深度玩家,滨松具有上千种Si PD型号,不仅涵盖了从紫外到近红外直至太赫兹区域等宽广的波长范围,而且金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装等各种封装类型一应俱全。
因此滨松在有关Si PD的使用方面也是独具心得,下面就与大家一同分享有关Si PD被问及次数最高的9个问题。
Q1. 同一型号的Si PD,灵敏度会有差异吗?
Q2. 温度对Si PD光谱响应度的影响?
Q3. 假设Si PD直径10 mm,入射光功率相同,光斑3 mm和5 mm输出光电流相同吗?
Q4. Si PD线性范围很大吗?
Q5. 哪些因素影响Si PD的时间特性?
Q6. 半导体元器件封装特点?
Q7. Si PD使用时间能有多长?
Q8. 针对Si PD,是加反向偏压使用好还是不加偏压使用好?
Q9. Si PD类输出的电流信号后续如何处理等(放大、I-V转换、采集等)?
温度对Si PD光谱响应度的影响?
图2 PD光谱响应及不同波长下的温度效应
假设Si PD直径10 mm,入射光功率相同,光斑3 mm和5 mm输出光电流相同吗?
在二极管局部不饱和的情况下,同时光斑大小在二极管感光面80%以下,输出光电流和光斑大小无关。
正常使用的条件下,Si PD的寿命基本可以认为非常长。然而,某些场景下可能使其受到的光、电、机械或热应力等超过规定的范围,因此限制其使用寿命。
以S5106为例,理论计算的MTTF如下:
反向偏压情况下耗尽层宽度增加,结电容变小,响应度会相应提高,但是暗电流会变大;无偏压状态下暗电流能控制到很小,但是其余属性不如有反向偏压的情况。
关于Si PD相关的内容已经全部讲解完毕,如果有任何问题都可以在评论区提问,以下滨松中国产品技术工程师会第一时间为您解答。点击此处,了解滨松中国联系方式。
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