影响硅光电二极管使用的九个问题，得了解！

硅光电二极管简称Si PD，是一种应用非常广泛的光探测器件，作为Si PD市场的深度玩家，滨松具有上千种Si PD型号，不仅涵盖了从紫外到近红外直至太赫兹区域等宽广的波长范围，而且金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装等各种封装类型一应俱全。

因此滨松在有关Si PD的使用方面也是独具心得，下面就与大家一同分享有关Si PD被问及次数最高的9个问题。

图1 S2386系列产品展示

温度对Si PD光谱响应度的影响？

图2 PD光谱响应及不同波长下的温度效应

假设Si PD直径10 mm，入射光功率相同，光斑3 mm和5 mm输出光电流相同吗？

在二极管局部不饱和的情况下，同时光斑大小在二极管感光面80%以下，输出光电流和光斑大小无关。

图4 PD不同封装的特点

正常使用的条件下，Si PD的寿命基本可以认为非常长。然而，某些场景下可能使其受到的光、电、机械或热应力等超过规定的范围，因此限制其使用寿命。

以S5106为例，理论计算的MTTF如下：

反向偏压情况下耗尽层宽度增加，结电容变小，响应度会相应提高，但是暗电流会变大；无偏压状态下暗电流能控制到很小，但是其余属性不如有反向偏压的情况。

关于Si PD相关的内容已经全部讲解完毕，如果有任何问题都可以在评论区提问，以下滨松中国产品技术工程师会第一时间为您解答。点击此处，了解滨松中国联系方式。