PFIB+Laser的最佳组合设计由Helios 5 Laser PFIB实现

更加可靠地精准导航到缺陷以便进行激光烧蚀和最后抛光，从而准确及时地收集数据进行失效分析。

使用飞秒激光去除材料的速度比 PFIB 快约 400 倍，比镓 FIB 快约 15,000 倍。

PFIB 的研磨速度比传统的镓 FIB 快约 40 倍，能够快速精确地完成大面积截面加工和激光烧蚀后的清理。

共点轴支持在几分钟内完成精确的激光切割布置、PFIB 研磨和大面积截面成像，而不会损坏敏感的 ROI/缺陷。

无需将样品转移至单独的样品仓或仪器中，显著减少了处理时间和样品污染。

通过使用飞秒级的激光脉宽，极大减少了热影响区造成的损伤。

刘中辉，2017年毕业上海交通大学生物医学工程学院，获硕士学位。曾供职于科磊半导体的产品开发工程师，参与产品软件及硬件的开发；负责3D NAND及DRAM产品量测方案开发，涵盖日本，美国及中国的主流存储器供应商。刘经理熟悉半导体工艺，半导体工艺控制及良率管理，现负责赛默飞世尔公司的PFIB及WDB产品线在半导体行业的拓展。