2022-04-27 22:46:16, Dr. Miao QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司
MRAM 器件在操作速度、耐用性和量产等方面具有优势,但其较低的电阻使 MRAM 存储器在传统的存内计算架构中无法达到低功耗要求。在本篇论文中,三星电子的研究人员构建了一种基于 MRAM 的新存内计算架构,填补了这一空白,这是MRAM研究的又一新突破。
近期,国内的众多课题组也在MRAM研究上取得了许多重量级的工作。例如北航的赵巍胜课题组在2020年发表在APL上的——具有垂直各向异性的氦离子辐照W-CoFeB-MgO Hall bars中的自旋轨道矩(SOT)驱动的多层转换一文中,运用了独特的氦离子辐照技术对W(4 nm)/CoFeB (0.6 nm)/MgO (2 nm)/Ta (3 nm)多层膜进行了结构的调控,通过对调控前后以及过程中磁学和电学性质变化的研究,表明这种使用离子辐照调控多层电阻的方法在实现神经形态和记忆电阻器件领域显示出巨大的潜力。
图中Kerr 图像显示了 SOT 诱导的磁化转换过程中Hall bars电流的增加,白色虚线表示纵向电流线和横向电压线。红色方框对应于氦离子辐照区域。(ii) 和 (iv) 中的黄色箭头代表畴壁运动的方向。
离子辐照除了在MRAM研究领域小试牛刀外,在斯格明子的研究中也令人眼前一亮。
法国自旋电子中心(SPINTEC) 和法国Spin-Ion公司合作发表在NanoLetters上的一篇文章,题目为:氦离子辐照让磁性斯格明子“走上正轨”。文中指出,氦离子辐照可被用于在“赛道上”“创造”和“引导”斯格明子,文章证明了氦离子辐照带来的垂直磁各向异性和DMI的变小,可导致稳定的孤立斯格明子的形成。
图中红色轨道尺寸为6000×150 nm2,间距为300 nm,用氦离子辐照的区域。
图中显示了氦离子辐照的红色轨道区域不同磁场下的MFM图像。
以上两篇文章采用的离子辐照设备来自法国Spin-Ion公司。法国Spin-Ion公司于2017年成立,源自法国国家研究中心/巴黎-萨克雷大学的知名课题组。Spin-Ion公司采用Ravelosona博士的创新技术,在磁性材料的离子束工艺方面有20年的经验,拥有4项和40多篇发表文章。Spin-Ion公司推出的产品——可用于多种磁性研究的离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®,可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移。该设备使用特有的离子束技术在原子尺度上加工材料,可通过离子束工艺来调控薄膜和异质结构。目前全球已有20多家科研和工业的用户以及合作伙伴使用该技术。2020年Spin-Ion公司在中国也已安装了套系统,Helium-S®独有的技术能力正吸引来自相关科研圈和工业领域越来越多的关注。
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磁性随机存储器(MRAM):自旋转移矩磁性随机存储(STT-MRAM), 自旋轨道矩磁性随机存储(SOT-MRAM), 磁畴壁磁性随机存储(DW-MRAM)等
自旋电子学:斯格明子,磁性隧道结,磁传感器等
磁学相关:磁性氧化物,多铁性材料等
其他:薄膜改性,芯片加工,仿神经器件,逻辑器件等
可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移,通过氦离子辐照可调控磁性薄膜或晶圆的磁学性质。
可提供能量范围为1-30 keV的He+离子束
采用创新的电子回旋共振(ECR)离子源
可对25毫米的试样进行快速的均匀辐照(如几分钟)
超紧凑的设计,节省实验空间
也与现有的超高真空设备互联
调控界面各向异性性质和DMI
低电流诱发的SOT转换获取
控制斯格明子和磁畴壁的动态变化
已经购买该设备的国内外用户单位:
University of California San Diego (USA)
University of California Davis (USA)
New York University (USA)
Georgetown University (USA)
Northwestern University (USA)
University of Lorraine (France)
SPINTEC Grenoble (France)
University of Cambridge (UK)
University of Manchester (UK)
Beihang University (China)
Nanyang Technological University and A*STAR (Singapore)
University of Gothenburg (Sweden)
Western Digital (USA)
IBM (USA)
Singulus Technologies (Germany)
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