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陆敏博士，研究员，《化合物半导体》主编。从事化合物半导体领域工作及研究25年，策划并成功组织2届APCSCRM国际会议；SEMI中国化合物半导体标委会核心委员，国家半导体材料标委会委员，成功组建宽禁带半导体技术团体标准标委会，共发布实施12项团标。对宽禁带半导体材料的生长、器件制备技术及半导体技术标准化有丰富的经验。近年来承担或参与了多项国家发改委、工信部、科技部重点研究计划、863、973和国家自然科学基金等科技及产业化项目。在国内外学术期刊上共发表论文40余篇，申请国内发明专利13项，授权11项，起草并发布国际标准1项，国家标准1项，团体标准10项。

佟存柱博士

常务副主任/研究员
中国科学院长春光学
精密机械与物理研究所                题

佟存柱，中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员，国家杰出青年基金获得者，发光学及应用国家重点实验室常务副主任。曾先后在新加坡南洋理工大学和加拿大多伦多大学从事研究工作。目前主要从事半导体激光研究，包括高亮度半导体激光芯片、面发射激光芯片和碟片激光器。获吉林省科学技术一等奖、王大珩光学奖、中科院“百人计划”终期优秀奖，科研成果入选“2015中国光学重要成果”。主持国家重点研发计划项目、自然基金重大项目课题、德国通快集团和华为公司委托项目等20项。发表学术论文100余篇，授权中国发明专利21项，美国专利2项。

邓丽刚博士

产品经理

牛津仪器

演讲主题

刻蚀工艺在VCSEL生产中的优化和控制

邓丽刚博士本科就读于湖南湘潭大学物理专业，并于2000年在英国Glasgow 大学获得半导体物理方向的博士学位 ， 主要研究等离子刻蚀对半导体器件的损伤。毕业之后，加入牛津仪器等离子技术公司 成为工艺工程师， 2007年成为主任工程师。在牛津仪器的近20年的时间里，邓丽刚博士主持研发了所有与制作各种光电子器件有关的III-V 半导体化合物材料的刻蚀工艺。目前她是公司负责面向三维传感和数据通信相关市场的产品经理。

刻蚀工艺在VCSEL生产中的优化和控制，演讲将着重介绍在怎样优化VCSEL的刻蚀工艺，探讨一下哪些因素影响刻蚀的工艺结果和器件的性能。另外将详细讨论一下哪种终点检测的方式更适合控制批量生产，以保障产品的高度一致性，提高产品的良品率。最后展望一下未来五年VCSEL应用发展需求及可能用到的工艺技术。                               

莫庆伟博士

首席科学家
浙江老鹰半导体技术
有限公司                                                    

莫庆伟博士毕业于清华大学材料科学与工程系，中科院半导体所硕士，于美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究VCSEL与量子点激光器获博士学位，致力于半导体发光材料与芯片器件的研究和产业化近20年。带领团队实现大功率光电子器件技术的突破，获Global Frost & Sullivan Award for Technology Innovation、Daimler Special Award for Innovation等奖项，国家光电子领域“特聘专家”。

VCSEL因为其独特的芯片架构、优异的光电性能和日趋成熟的规模量产，成为数通、3D感测和激光雷达等应用场景中半导体光源的最佳选择，在某些领域甚至是唯一的选择。iPhone的Face ID 在2017年拉开了VCSEL在这一次浪潮中广泛应用的序幕， 这一趋势过去几年在各个领域进一步延伸和渗透。这些应用反过来对VCSEL的各种性能、可靠性和成本都提出了更多和更高要求。我们系统分析了这样崭新的应用场景对VCSEL芯片以及围绕VCSEL的封装、驱动和集成技术形成的挑战和潜在的解决方案。着重探讨了分区控制、多节VCSEL等新技术给智能感测和车用LIDAR等领域带来的新的应用和突破。