Plasma 3000型和Plasma 2000型电感耦合等离子体发射光谱仪测定工业硅中杂质元素含量

Plasma3000

Ø 高效固态射频发生器，超高稳定光源；

Ø 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围；

Ø 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧；

Ø 多元素同时分析，全谱瞬态直读。

Ø 多种进样系统，可选择性好；

Ø 垂直炬管，双向观测，检出限更加理想；

Plasma2000

Ø 高效固态射频发生器，超高稳定光源；

Ø 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围；

Ø 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧；

Ø 多元素同时分析，全谱瞬态直读；

Ø 多种进样系统，可选择性好；

Ø 垂直炬管水平观测，耐盐性更佳。

标准溶液配置时，可以先配置100μg/mL混合标准溶液，配置时按下表1加入体积数配置曲线。

表1 标准曲线配置

注：

1) 标准溶液配置时注意介质干扰，建议P、Na、B单独配置，浓度梯度同上表；

2) 配置曲线时，酸度和样品保持一致；

实验考虑各待测元素谱线之间的干扰及基体干扰，并选择合适的扣背景位置，经实验，本文选择分析谱线如下表2所示。

表2 各元素分析谱线及线性系数

1. 标准样品测试结果、精密度与回收率

按照方法，测试了标准样品金属硅FjyJ0401，同时加入100微克做回收率实验，实验结果如表3所示。回收率在98.75%～106.93%，结果令人满意。

表3 实验结果、精密度和回收率(n=11)

2. 样品比对实验

采用Plasma2000型和Plasma3000型仪器测量客户考察样品，与客户化学法比对，结果如表4所示。通过比对，仪器测定值与化学法基本一致。

表4 结果比对

注：“-” 客户未提供化学法检测数据

使用Plasma3000和Plasma2000能够很好的解决工业硅中杂质元素分析问题，完全满足国家标准GB/T2881-2014《工业硅》和GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法第四部分：杂质元素含量测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》要求。