2019-02-25 14:00:05 徕卡显微系统(上海)贸易有限公司
实验步骤：
预处理：用快速胶固定包埋，EM TXP精研一体机切割定位
EM TIC 3X三离子束切割仪参数：
加速电压：7kV
离子束流：2.6mA
研磨时间：3h
切割深度：50μm左右
样品制备人员：徕卡纳米技术部 应用专家 程路
半导体芯片截面，放大倍率：6,000
半导体芯片截面，放大倍率：9,000
半导体芯片截面，放大倍率：15,000
半导体芯片截面，放大倍率：40,000
使用的制样设备：
徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪
三束氩离子束正在对样品进行切割：
辅助制样设备：
徕卡EM TXP精研一体机
了解徕卡EM TXP 更多内容
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