2026-05-26 10:45:27 卡尔蔡司(上海)管理有限公司
本文亮点
针对 Ni-YSZ 成分衬度难以区分的问题,系统优化了 FIB-SEM 连续切片的成像参数。通过分析背散射电子与二次电子成像机制,发现由于 YSZ 与 Ni 平均原子序数接近,背散射电子难以有效区分两相。实验表明,在低加速电压(1.5 kV)下,二次电子信号可利用两相导电性差异显著提升成分衬度,但同时面临荷电效应和取向衬度干扰。Inlens 探测器在短时成像中可清晰显示 Ni-YSZ 相界,但衬度易随荷电积累发生反转;SE2 探测器在连续切片中稳定性较好,但取向衬度影响较强。基于此,提出在 1.5 kV 条件下协同使用 Inlens 与 SE2 探测器的优化方案,在抑制荷电效应和取向衬度干扰的同时,实现了可靠的相分割。该方法适用于 FIB-SEM 连续切片表征,为燃料电池电极微观结构的精确分析提供了有效技术手段。
背景介绍
固体氧化物燃料电池/电解池(SOFC/SOEC)是一种高效、可逆的高温能量转换装置,可在 SOFC 模式下将化学能直接转化为电能,或在 SOEC 模式下利用电能驱动电解反应。然而,在高温蒸汽电解环境中,Ni颗粒易发生迁移、团聚和粗化,导致三相界面(TPBs)有效长度缩短,并加剧 YSZ 电解质与金属相之间的热膨胀失配,最终引起电化学性能快速衰减。因此,构建 Ni-YSZ 电极三维微结构与其电化学衰退行为之间的定量关联,对突破 SOEC 系统寿命瓶颈具有重要意义。尽管能谱(EDS)面分布成像能够区分 Ni 和 YSZ,但其成像效率低、空间和深度分辨率有限,难以满足高分辨率三维微结构表征需求。如何高效、准确地区分 Ni-YSZ 成分仍是关键挑战。
为此,本研究通过优化 FIB-SEM 连续切片的成像参数与探测器配置,显著提升 Ni-YSZ 金属陶瓷复合材料的成分衬度,实现电极三维微结构的高分辨率精准重建。
图文导读
▲图1 电镜中样品放置位置以及各探测器的空间分布示意图。
▲图2 背散射电子探测器采集的图像和元素的面分布图。a–c. 电压为1.5 kV,截面倾斜和水平放置时的ESB图像及对应的面分布图;d–f. 15 kV和5 kV时的BSD图像及对应的面分布图。
▲图3 连续切片中二次电子探测器采集的图像。a, b. 使用Inlens和SE2探测器同时采集的图像及对应直方图;c. 两种探测器信号的探测差异。
▲图4 各种加速电压下Inlens探测器采集的图像。
▲图5 Inlens探测器在不同电子束照射时间下采集的图像。a. 即刻成像;b. 10 s后成像。
▲图6 电子束照射20 s后的图像。a, b. Inlens和SE2探测器采集的图像及对应直方图;c. 荷电场对两种探测器的影响。
▲图7 不同工作距离对Inlens图像的影响。a, b. 工作距离为2.1 mm和5.1 mm时采集的图像及对应直方图;c. 工作距离对探测器的影响。
▲图8 非局部均值滤波和FFT处理前后的图像。
▲图9 U-net模型训练结果和重构结果。a. 模型训练的准确度;b. 三维重构效果。
结论与展望
本研究系统分析了背散射电子与二次电子成像在 Ni-YSZ 复合电极成分衬度表征中的作用机制。结果表明,由于 YSZ 的平均原子序数(Zav≈28.7)与Ni(ZNi=28)接近,背散射电子产额差异极小,难以有效区分两相。相比之下,二次电子成像在低加速电压(1.5 kV)下可利用导电性差异形成成分衬度,但Inlens探测器易受荷电效应影响而发生衬度反转,SE2探测器则具有较好的抗荷电能力但受取向衬度干扰。通过在 1.5 kV 条件下协同采集 Inlens 与 SE2 信号,并缩短电子束照射时间,可有效抑制荷电与取向衬度影响,其中 SE2 信号作为主要分割依据, Inlens 信号作为辅助参考。
该优化方案成功应用于 FIB-SEM 连续切片,结合深度学习实现了高精度三维重构,验证了其可行性与可靠性,并为 Inlens 探测器在 SOFC 电极三维重建中的应用提供了重要参考。
第一作者:高尚,张天宇
通讯作者:高尚,陈涵铭
通讯单位:哈尔滨工业大学(深圳),广东半导体光电与智能光子系统重点实验室
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