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发布时间:2023年06月
晶化快速退火炉 嘉仪通 半导体退火设备采用红外辐射加热技术,可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温,同时搭配超高精度温度控制系统,可达到极佳的温场均匀性,对薄膜材料进行晶化快速退火处理,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。
晶化快速退火炉产品特点:
快速加热和降温: 最高可控升温速率可达50 ℃/s,特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率,特定条件下可达30 ℃/s。
精确控温: 采用工业级温控器进行PID精确控温,目标温度与设定温度曲线一致性高,可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。
适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理(氮气、氩气等)。同时,通过选配真空泵,可以在真空条件下进行退火,最高真空度可达10-3Pa。
配备观察窗口: 通过观察窗口,可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时,可以结合相关测试方法进行原位测试分析。
超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统,全方位保障仪器使用安全。
国产退火炉:拥有自主研发技术和制造能力,能快速反应客户售后需求。
晶化快速退火炉技术参数:
型号
RTP-3-01系列
最高温度
1200℃
最大升温速率
50℃/s
温度均匀性
≦1%设定温度
温度控制
选用工业级温控器,控温精度±0.1℃
温度传感器
标准K型热电偶
最大降温速率
1200℃→400℃,200℃/min
400℃→100℃,20℃/min
(自然冷却)
最大样品尺寸
W20 x L20 x T2 (mm)
主机尺寸
W420X L320X H220 (mm)
主机重量
20.5kg
晶化快速退火炉 嘉仪通 半导体退火设备客户案例:
清华大学使用嘉仪通1吋晶化快速退火炉给HfO2薄膜做晶化退火,得到晶相一致晶粒较小的晶体,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。
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