centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150

centrotherm   SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150

centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或镓-氮化合物（GaN） 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体， 如研发炉和批量生产炉， 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低，所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。

特点：

高活化率

表面粗糙程度最小

温度最高达 1850°C

批量规模高达 50硅片（150mm）

加热率最高达 150 K/min

通过SiH4可实现硅“过压

Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属

CLV200 小批晕生产用垂直炉管

I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产

centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备，能实现各项热处理工艺，适用于少量生产及 研发。

cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计， zui高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小（一批至多 50 片晶圆）， CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺，降低顾客研发费用。

cent rot herm 的设计在高效， 低耗上非常出色， 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。

常压工艺退火

氧化

扩散LPCVD PECVD

 Zui高温度可达 11 00° C

净化间占用面积小 [1.6 m叮

售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批最高可处理 50 片晶圆

售 全自动 cassette -to-cassette 传片

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