SUSS MJB4 有掩膜光刻机

MJB4有掩膜光刻机通过 MO 曝光光学系统®、多种曝光模式和模块化升级提供可靠的光刻技术。它具有亚微米分辨率和 UV-NIL 选项，为高级研发和试生产提供了灵活的技术基础。

MJB4有掩膜光刻机特点：

出色的光照均匀性              

通过微透镜板，MO 曝光光学系统® 实现了全场曝光的光照均匀性和更大的工艺窗口，从而提高良率。远心照明使曝光光与灯源分离，从而节省了设置和维护时间，同时确保在灯管的整个使用寿命期间获得一致的结果。

对准精度，广泛灵活性                            

MJB4 配备了高精度对准平台，提供顶面对准或红外对准，并可选择单场或分场显微镜，以获得清晰的图案识别和精确的结果。该系统可为非标准基底或 UV 纳米压印光刻进行可选升级，是微机电系统、光电子、混合材料和易碎 III-V 材料的理想之选。

适应性强的设备                  

MJB4 与您的研究需求同步增长：MJB4 拥有一个大型设备库，可处理从 5x5 mm 到 100 mm 晶圆的各种形状和厚度（最大厚度为 4 mm）的工件，具有最大的灵活性。还提供专用设备，用于处理异形基板和其他非标准工件。

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