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| 二次电子图象分辨率:1.0 nm @ 30 kV;1.6 nm @ 1 kV | 放大倍数:3.5× ~ 1,000,000× 连续可调 | 样品台:5 轴电动样品台(X/Y/Z/ 倾斜 / 旋转),大样品室可适配多样品架与原位样品台 |
| 探测器:二次电子探测器(SE)、背散射电子探测器(BSE),可拓展 EBSD、CL 等探测器 | 背散射电子图像分辨率:2.0 nm @ 30 kV | 加速电压:0.2 kV ~ 30 kV 连续可调 |
| 电子枪种类:高亮度肖特基(Schottky)场发射电子枪 |