KRi 直流磁控溅射电源

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上海伯东代理美国 KRi 直流磁控溅射电源适用于各品牌磁控溅射镀膜机, 低压直流电源 0-1000 V, 稳定的控制磁控溅射阴极. 真正的电弧检测和抑制. KRi 直流磁控溅射电源可以减少基材和目标的损坏, 增加沉积时间.


KRi 直流磁控溅射电源特点:
真正的电弧检测和抑制: <100 nsec 电弧检测
最小电弧能量:能量:<1mJ : 减少基材和目标的损坏, 减少粒子生成, 增加沉积时间
从 25 到 1500W 稳定的输出功率
电压, 电流和功率调节模式
可调运行定时器, 可调功率斜坡
配方存储多达 7个单独的目标
KWHr 计数器时间限制
紧凑设计: 仅需一个单元
0-1000V 和 0.4A 工作范围: 满额定功率可适用于大阻抗范围
大阻抗范围: 不需要在整个范围内更换变压器分接
可调电弧处理参数: 后电弧检测延迟时间; 重新启动前的电弧检测输出断开时间
弧度计数器: 目标条件和工艺环境的指示

KRi 直流磁控溅射电源参数:

提供三种规格满足不同的溅射应用

KRi 直流磁控溅射电源典型应用
金属磁控溅射,  反应膜层溅射

上海伯东美国 KRi 提供的离子源模块化电源控制器, 可以操作各种离子, 等离子体和电子源, 用于在等离子体处理中, 输出稳定和可重复功率的动态负载. 可以在恶劣的环境中正常运转, 易于系统集成.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 

上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理. 全权负责新机销售和售后维修