等离子增强化学气相沉积

此系统可用于小批量生产，支持硅系列薄膜梯度覆盖，间隙填补；适用于半导体，太阳能电池工厂研发/实验室及高校研究所/实验室，还包括钝化，绝缘，电介体绝缘沉积等。

主要沉积对象：

◈ a-Si, SiO2, Si3N4 沉积

◈ 钝化, 绝缘

◈ 太阳能电池

◈ 等离子体源 : PE 型
◈ 样品尺寸 : 6寸
◈ 过程气体 : SiH4, H2, O2, N2
◈ 薄膜均匀性: <5% for WIW, WTW and RTR
◈ 基底温度: Maximum 250℃
◈ 加热均匀性 : ± 3℃
◈ 总操作压力 : 30 mTorr to 1 Torr
◈ 极限压力 : 1 × 10-3 Torr （旋转泵）

◈ PLC控制
-气动阀控制器
- 系统连锁，安全警报

-根据客户需要可提供更重CVD，如RTCVD（退火+CVD，Thermal CVD(热化学气相沉积系统），Cluster Type MOCVD，ICP + CVD + Sputter

-根据客户需要，可订制样品尺寸，过程气体可增加，极限压力可调

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