等离子增强化学气相沉积

此系统可用于小批量生产，支持硅系列薄膜梯度覆盖，间隙填补；适用于半导体，太阳能电池工厂研发/实验室及高校研究所/实验室，还包括钝化，绝缘，电介体绝缘沉积等。

主要沉积对象：

◈ a-Si, SiO2, Si3N4 沉积

◈ 钝化, 绝缘

◈ 太阳能电池

◈ 等离子体源 : PE 型
◈ 样品尺寸 : 6寸
◈ 过程气体 : SiH4, H2, O2, N2
◈ 薄膜均匀性: <5% for WIW, WTW and RTR
◈ 基底温度: Maximum 250℃
◈ 加热均匀性 : ± 3℃
◈ 总操作压力 : 30 mTorr to 1 Torr
◈ 极限压力 : 1 × 10-3 Torr （旋转泵）

◈ PLC控制
-气动阀控制器
- 系统连锁，安全警报

-根据客户需要可提供更重CVD，如RTCVD（退火+CVD，Thermal CVD(热化学气相沉积系统），Cluster Type MOCVD，ICP + CVD + Sputter

-根据客户需要，可订制样品尺寸，过程气体可增加，极限压力可调

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途