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仪器简介:
应用:
-太阳能电池 多晶硅,N-Si, P-Si -Si3N4 薄膜 -防指纹处理
样品尺寸 : 4 ~ 8inch, 系细丝DC 功率 : 3kW ~ 7kW (客户可选) Chuck bias (option) : (+)/(-)1kV, 30mA 基底加热: Max. 300∩ (wafer 温度) Load-lock chamber : 独立型 (option - Robot type) 极限压力 : 5*10-3Torr 真空泵 : Dry pump (option - TMP) 过程控制 : PC自动控制
热丝化学气相沉积 HOT WIRE CVD SYSTEM,HOT
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