精选 透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗口

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SHNTI的X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的zei大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作（即薄膜与光束成一定角度）时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。
SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线（上海光源透射成像/能谱线站）、TEM、SEM、IR、UV等。
现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱（同步辐射）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：
外框尺寸 (4种标准规格):

5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)

7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm)

10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形)

边框厚度： 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
SHNTI也可以为用户定制产品（30-500nm），但要100片起订。

本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。

与X射线用氮化硅窗口类似，透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小，适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。



现在SHNTI可以提供透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：
外框尺寸:

3 mm x 3 mm (窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm) 边框厚度： 200μm、381μm。
Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nm
SHNTI也可以为用户定制产品(30-200nm)，但要100片起订。
本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。

技术指标：
表面平整度：
我们认为薄膜与其下的硅片同样平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为：0.6-2nm。完全适用于TEM表征。

亲水性
该窗格呈疏水性，如果样品取自水悬浮液，悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理，可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿命进行过测试，但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格，但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进行相应的处理提高其亲水性能。



温度特性：
氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。

化学特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。

应用简介和优点：
1、 适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。
2、 大窗口尺寸，适合TEM大角度转动观察。
3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。
4、 背景氮化硅无定形、无特征。
5、 耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，（薄膜直接沉积在窗口上）。
6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。。
7、 耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。
8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。

氮化硅薄膜应用范围非常广，甚至有时使不可能变为可能，但所有应用都有无氮要求（因样本中有氮存在）：
惰性基片可用于高温环境下，通过TEM、SEM或AFM（某些情况下）对反应进行动态观察。
作为耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。
作为耐用匹配基片，对AFM和TEM图像进行比较。
聚焦离子束（FIB）样本的装载，我们推荐使用多孔薄膜，而非不间断薄膜。


许多研究纳米微粒，特别是含氮纳米微粒的人员发现此种薄膜窗格在他们实验中不可缺少。气凝胶和干凝胶的基本组成微粒尺寸极小，此项研究人员也同样会发现氧化硅薄膜窗格的价值。
优点：
• SEM应用中，薄膜背景不呈现任何结构和特点。
• x-射线显微镜中，装载多个分析样的唯一方法。
• 无氮
高温应用，氮化硅薄膜在1000°C高温下仍能保持稳定的性能。

使用前清洁：
氮化硅薄膜窗格在使用前不需进行额外清洁。有时薄膜表面边角处会散落个别氧化物或氮化物碎片。由于单片网格需要从整个硅片中分离，并对外框进行打磨，因此这些微小碎片不可避免。尽管如此，我们相信这些碎片微粒不会对您的实验产生任何影响。

如果用户确实需要对这些碎片进行清理，我们建议用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清洁有机物，用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清洁金属。

通常不能用超声波清洗器清洁薄膜，因超声波可能使其粉碎性破裂。


详细情况，您可以与我们取得联系。我们为您一一解答。

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