美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear

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上海伯东代理美国原装进口 KRI  线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布. KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋转溅射系统.

霍尔离子源 eH 400 尺寸
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH Linear 技术参数

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.



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1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 

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