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KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO
KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源,能够产生高密度的离子束,特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束,因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化,使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求,因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source产品规格
Model
RFICP 200 HO
Discharge
RF inductive
Filamentless
Yes
RF power
>1 kW
Ion optics
OptiBeamTM
Grids
Application specific
Alignment
Self-aligned
Neutralizer
Yes (options)
Power controller
RFICP ion Power Pack
Options
Beam Shape
Collimated, convergent, divergent
Water cooled
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