VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

产品型号

VTC-1HD-ZF2

主要参数

1、真空室：φ324X330

极限真空8.0X10-5Pa（分子泵系统）

漏率：2.0x10-10Pa.m3/s

材料为304不锈钢焊接，电化学表面抛光处理。

活动处密封采用橡胶密封圈，不活动处密封采用铜密封圈密封。

动力传动采用磁耦合联动方式。

真空室一个磁控靶位、一组蒸发电极（两只）、2只束源炉工位（标配1只束源炉）。

1组流量计（氩气一组）带φ150玻璃观察窗，另预留C35法兰接口。

2、溅射靶头：2吋（φ50.8mm）

工作真空度：10Pa~0.2Pa

靶材利用率：＞35%(标准3mm铜靶材，靶面真空度0.5Pa)

MAX功率：＜240W（充分冷却）

绝缘电压：＞2000V（配套500W直流电源1个）

3、电阻蒸发：

蒸发输出电压：AC 0-8V连续可调

极限蒸发电流200A

极限蒸发功率＜1.6KW

温度不可控，不可测。

4、束源炉：坩埚容量：3CC

加热温度：室温-700°C

加热温度可测、可调、可控。

控温精度：±0.5°C

标配石英坩埚，带挡板、热电偶。

电源功率：500W、36V

5、样品台：φ120

温控：室温-500°C

转数：1-20rpm

样品台可手动升降，可调行程上限：50mm

6、EQ-TM106-1膜厚仪   

1)电源：DC  5V（±10%），MAX电流400mA

2)频率分辨率：±0.03Hz

3)膜厚分辨率：0.0136Å（铝）

4)膜厚准确度：±0.5%，取决于过程条件，特别是传感器的位置，材料应力，温度和密度。

5)测量速度：100ms-1s/次，可设置

6)测量范围：500000Å（铝）

7)标准传感器晶体：6MHz

8)计算机接口：RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可设置，数据位：8，停止位：1，校验：无）

9)模拟输出：8比特分辨率，PWM脉宽调制输出（集电极开路或内部5V输出）

10)工作环境：温度0-50℃，湿度5%-85%RH，不得有冷凝水珠

11)外形尺寸：90mm×50mm×18mm

7、设备标配冷水机组1台（KJ5000型），客户自备冷水机及去离子水或纯净水。

8、整机电源输入：AC220V/50Hz。功率＜3.5KW。

9、产品规格：

尺寸：约1300mm×660mm×1200mm；         重量：约160 kg