闪烁体的光谱、寿命、成像、光产额测量

闪烁体的光谱、寿命、成像、光产额测量

产品概述

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型X射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在X射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。

卓立汉光能够提供基于X射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及X射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖X射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS成像，单像素成像，TFT面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。

如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细

(一) 稳态光谱及荧光寿命采集

• 基于皮秒X射线和TCSPC测量原理的方法

• 纳秒脉冲X射线

• 稳态和寿命测量数据

(二)X射线探测成像

• X射线探测成像光路图

• X射线探测成像及脉冲X射线实现光电流衰减测量

• TFT集成的面阵X射线成像

• 成像测量结果

(三)技术参数

稳态光谱及荧光寿命采集

基于皮秒X射线和TCSPC测量原理的方法

包含：皮秒脉冲激光器、光激发X射线管、TCSPC或条纹相机。

由皮秒脉冲激光器激发“光激发X射线管”发射出X-ray作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。

皮秒X射线测量荧光寿命原理图

纳秒脉冲X射线

150KV纳秒脉冲X射线

*安全距离要求：a：3米，b：6米，c：30米

稳态和寿命测量数据

NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱

纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线

X射线探测成像

X射线探测成像光路图

X射线探测成像及脉冲X射线实现光电流衰减测量

TFT集成的面阵X射线成像

TFT传感芯片规格

TFT读取系统规格

成像测量结果

CMOS 成像实物图

分辨率指标：TYP39分辨率卡的X 射线图像。测试1mm厚的YAG(Ce)时，分辨率可以优于20lp/mm

手机充电头成像测试

密码狗成像测试

技术参数

光产额测量方案

闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ射线、X射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。

光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。

一些常见闪烁晶体的光产额值如下：

碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV

氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV

氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV

钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV

光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。

卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。

闪烁体的光谱、寿命、成像、光产额测量信息由北京卓立汉光仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于闪烁体的光谱、寿命、成像、光产额测量报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。