Stress Mapper 晶圆翘曲应力测量仪

具备三维翘曲（平整度）及薄膜应力的检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产

优势

√ 全口径均匀采样测量，采样间隔最少可至0.1mm

√ 同时具备翘曲测量及应力测量功能

√ 直观展现薄膜导致的晶圆形变，可计算任意角度的曲率及应力

√ 强大的附加模块：薄膜应力变温测量模块（室温到500℃）

√丰富的软件分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP等）、ROI分 析、薄膜应力及分布、应力随时间变化、薄膜应力变温测量、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法。

适用对象

2 - 8 英寸/12 英寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面

适用领域

√ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查

√ 半导体薄膜工艺的研究与开发

√ 半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析

检测原理

√ 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响

√ 采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，晶圆全口径测量时间低于30s

√ 通过Stoney公式及相关模型计算晶圆薄膜应力分布

测量案例-晶圆翘曲

 12 inch Si晶圆翘曲整体及局部分析

 测量案例-薄膜应力

6 inch Si晶圆（镀Ti膜）

6 inch 蓝宝石晶圆（镀SiO2膜）

测量案例——图案晶圆（8 inch Si）

测量案例-薄膜应力变温测量（4 inch GaAs晶圆镀介质膜）

Stress Mapper技术规格

晶圆翘曲应力测量仪将全口径翘曲、应力、表面瑕疵等分析整合进入每一次测量，确保我们的客户能够快速确认工艺。

晶圆翘曲应力测量仪 Stress Mapper信息由上海纳腾仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于晶圆翘曲应力测量仪 Stress Mapper报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。