VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪(沈阳科晶)

·腔室真空度：
 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa
 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa

磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角

· 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 

· 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 

· 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 

· 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 

（可选配2英寸磁控溅射靶头）

样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下

·样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转

·样品台旋转速度：0.5-5r/min可调

·样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备

·样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。

·样品台和法兰端盖可以电动升降

· 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 

· 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制

· 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度

· 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。

· 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm

· 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。

控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制

· 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度

· 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定

· 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度

· 控制电动插板阀的启动和关闭

· 型号：ZDF-III 

· 工作电压：AC220V 50/60HZ 

· 电阻规阻值：约85欧 

· 自动保护（电离）＞10Pa 

· 电阻规测量范围：105-10-1Pa 

· 电离规测量范围：100-10-5Pa

· 抽真空接口为KF40接口 

· 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 

· 电机功率：1500W 

· 电机电源：AC380V/50HZ 

· 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 

· 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计

· 型号：KJ-5000 

· 工作电流：1.4-2.1A 

· 制冷量：2361Btu/h 

· 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）

· 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 Å 

· LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据