VTC-600G高真空磁控溅射仪(沈阳科晶)

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。·可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。
·可制备多种薄膜，应用广泛。
·体积小，操作简便。
·整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。
·可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。

产品 名称	VTC-600G高真空磁控溅射仪
产品 型号	VTC-600G
主要参数	1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。  2、极限真空：6.0X10-5Pa。  3、漏率：1h≤0.5Pa。  4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。  5、真空泵组：机械泵+分子泵。  6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。 7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路）  8、靶头与样品台中轴线夹角为34°  9、靶头数量：3个（互成120°）。 10、 靶枪冷却方式：水冷  11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）
	12、产品规格： ·尺寸： 整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；

序号	名称	数量	图片链接
1	样品台挡板	（可选）

VTC-600G高真空磁控溅射仪,VTC-600G

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