Gentle Mill 离子减薄仪/离子精修仪--用于制备高质量 TEM/FIB 样品
Technoorg Gentle Mill 离子精修仪产品专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。 Gentle Mill 型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。 同时,Gentle Mill 还适用于快速减薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及机械抛光样品。
产品特色:
01 快速、可靠地精修和处理 TEM 和 FIB 样品
02 带有预编程的设置,可进行自动化操作
03 可应用于工业环境中
04 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系统 3D 样品台
性能参数
低能离子枪(固定型)
样品台
切削角度:0° - 40°,每 0.1° 连续可调
可进行计算机控制的平面内样品旋转和摆动(从 ±10° 到±120°,每 10° 连续可调)
可适用的 TEM 样品的厚度范围 (30 -200 μm)
样品处理
用于快速样品交换的真空锁系统
全机械、无胶装载
专为 XTEM 样品设计的钛夹和封装技术
真空系统
Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵,配备紧凑的全范围 Pirani/Penning 真空计
供气系统
成像系统
电脑控制
电源要求
100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ‒ 单相
应用案例
01. Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+ 氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。
02. Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV 离子能量和 3°入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。
03. GaSb/InAs 超晶格。 使用 Gentle Mill 制备样品:在 2000 eV 下减薄直至穿孔,然后在 1000 eV 下修整,最后在 300 eV 下精修。 图片由 Technion(以色列)提供。
Gentle Mill离子减薄仪/离子精修仪,Gentle Mill
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