PECVD化学气相沉积设备报价
产品简介：GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术，基本温度低，沉积速率快，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。产品型号GSL-PECVD-300化学......
安捷伦 气相色谱系统Agilent 8860适用于挥发性有机化合物项目，参考多项行业标准HJ 642-2013 。可以检测土壤和沉积物等样品。可应用于土壤行业领域。 本应用简报介绍了使用 Agilent 8697 顶空进样器、8860 GC 和 5977B GC/MSD 系统分析土壤和沉积物中的挥发性有机化合物。从重现性、线性、检测限、定量限和方法回收率五个......
iMLayer 基质蒸镀系统（气相沉积）负责样品前处理（施加基质），用于配合 iMScope 影像质谱显微镜或 MALDI-7090 等分析系统，开展 MALDI-MS 成像分析。该系统采用气相沉积法进行前处理，可实现高空间分辨率。通过此方法能够形成精细的基质结晶，并依托自动化控制，按照用户设定条件获得重现性优异的蒸镀层厚度。ItemApplicable m......
Depolab 200 PECVD 开放盖化学气相沉积系统具有坚固的设计、可靠性和灵活的软硬件。该系统开发了多种工艺，例如高品质氮化硅和氧化硅层沉积。该系统包括带燃气箱的反应器单元、控制电子设备、计算机、倒车泵和主连接箱。主要特点与优势Depolab 200 PECVD 开放盖化学气相沉积系统是一种性价比高的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，结合了......
PlasmaPro 800 PECVD化学气相沉积系统为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺产品特点： &nb......
PlasmaPro 80 PECVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 PlasmaPro 80 PECVD化学气相沉积系统易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。直开式设计......
PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性电极的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆成本低且易于维护电阻丝加热电极，最高温度可达400°......
PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和......
PD-220NL PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。PD-220NL PECVD等离子体化学气相沉积系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可......
PD-3800L PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。PD-3800L PECVD等离子体化学气相沉积系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有......