中国 电子束曝光技术

电子束曝光系统

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电子束刻蚀设备

型号:CABL-9000系列

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仪器简介:纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技                      &n......

JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。产品特点:JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间......

ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l  超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl  ......

(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备,采用30kV Gemini电子束技术,应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus:  &nb......

JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。产品特点:JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间......

产品规格:拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nmJBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。产品特点:利用步进重复式......

上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有高通量的特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l  超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......

上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有超高书写精度特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l  超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应......

上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有均匀性好特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l  超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......

上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有易于控制的电子束条件ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l  超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近......

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