电子束曝光和光刻
JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）的图形。 此外，该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度，性能比优越。 利用zei细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细......
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。产品特点：JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能......
JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/......
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间......
JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统，通过全方位的设计优化，实现更简便的操作，更快的刻写速度，更小的占地面积和安装空间，并且更加绿色节能。产品特点：zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统，通过全方位的设计优化，实现更简便的操作，更快的刻写速度，更小的占地面积和安装空间，并且更加绿色节能。◇......
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间......
产品规格：拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nmJBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：是基于加速电压5......
JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/......
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。产品特点：JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能......
JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）的图形。 此外，该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度，性能比优越。 利用zei细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细......