30纳米电子束刻蚀
仪器简介：1998年Obducat公司并购了在SEM有三十年经验的Camscan，并结合自身在纳米压印设备以及光存储设备的开发经验，研发了电子束刻蚀设备，提供EBR-30kV,EBR-50kV两种不同型号，都配备热场发射电子腔。技术参数：Electron gun / Filament type Thermal Field Emission ......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3，符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 小型台式无掩膜光刻系统&nbs......
Quantum Design小型台式无掩膜光刻机Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3，符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 小型台式无掩膜光刻系......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3参考多项行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。完成MoS2、Cr2S3的检测。可以用在电子/半导体行业领域中的无掩膜光刻直写项目。......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3可用于测定MoS2、Cr2S3，适用于无掩膜光刻直写项目。并且参考多项行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。可应用于电子/半导体行......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3，符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 Microwriter ML3......
产品特点：是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进......
产品特点：利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV......
