【爆肝长文】8900测纯水中的B与Si疑云

昨天，发了一个群友提出的有价值的问题:ICP-MS问一问（265期）: 8900测纯水中的B与Si疑云，值得本人花一个小时来回答。

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△问题留言区

我看到有读者建议当期回答，搞多元化一点，怎么设计都有利弊，但最大原则是简明扼要。

根据评论区说法，解析这一现象的原因

可能性 1: 进样系统的表面吸附

B的物理化学特性：易吸附在进样系统（雾化室、雾化器、中心管等）表面形成吸附层。

实际上，碱性条件更佳！

用水可以在相当长的时间内持续洗脱吸附层的Si与B，而硝酸洗脱能力弱一些。所以看到的结果是稀硝酸体系测到的灵敏度低。

可以采取的对应措施: 上策彻底维护，或更换进样系统，中策用氨水长时间冲洗仪器，以彻底将吸附层去除。

可能性2:  等离子体温度变化与接口区沾污

B与Si属于难电离元素，而加入硝酸可能增加了溶液粘度，形成了更多较大的气溶胶颗粒，降低了等离子体温度，离子化效率降低。参考:ICP-MS冷焰了解一下？

然而，电离度再减小也不可能减小十倍，剩下的部分可能是冷焰效应导致:

也就是: 虽然说测试两种溶液的rf power 与雾化器补偿气等气流量保持一致，但由于溶液本身的差异导致硝酸的ICP更冷。

接口区（中心管，炬管，锥与透镜）的沾污被激发，溅射下来得离子数大幅度下降。

这样以来，就能说通了。

可能性3:  空间电荷效应对低质量数的影响

对于硝酸中含有N元素，额外产生了大量N，NAr，NO等基体离子，影响了Si与B离子的传输。从而可能导致灵敏度大幅度降低2025年文献里的空间电荷效应。

具体怎么办？ 有两点建议:

① 维护锥与透镜，更换进样系统

② 确定基体，对基体进行优化，重点优化RF功率，得到尽可能低的bec。

此外，B用MS/MS的no gas做就得了。

本文案例，再次佐证了扣空白的巨大风险，浅谈ICP-MS测试扣空白的风险。一不小心，结果全是负数。这也是半导体场景下的老大难的问题。

我的经验: 本文测简单基体中的Si与B，1100W左右的RF power可能是比较好的选择。参考:ICP-MS测Si背景高，洗不下来怎么办？

全文完，我知道你可能有疑问或怀疑，点赞，收藏，仔细琢磨。