样品制备与微纳加工丨单晶、微纳设备换新选型方案来啦

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无需掩膜板，结构小巧紧凑；高分辨率（0.4 μm）；适应于MEMS、微流控、芯片等纳米结构制备。

温度梯度优化方案，温度反馈控制，最高温度3000°C，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

最高温度3000°C，最高压力300bar，可生长多种单晶样品，尤其适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。

高效镀金椭球反射镜，占地面积小，操作简单。适合生长高温超导体、介电和磁性材料、金属间化合物、半导体/光学晶体/宝石

多片基片/批量粉末制备；温度条件精确控制；小巧机身设计：75x56x28 cm。

金属有机物热蒸发、磁控溅射、共溅射、反应溅射、配置灵活、功能齐全、智能控制。

可快速制备石墨烯的小型CVD系统，最快30分钟即可完成整个过程，完备的智能、安全性设计。

超高精准刻蚀，可逐层刻蚀石墨烯，可制造面内缺陷，可对清洗石墨基材表面。

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